“如果我没记错，上次季度汇报，这个数字还在45%徘徊。

这个爬坡速度，超出了我们内部的预期。

怎么做到的？”

“是的，姚总，提升速度确实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。

“突破主要来自三个方面：

首先是孟总团队带来的finfet三维鳍片形状和应力工程的精确调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”

“其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，采用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体芯片功耗。”

“而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。

“陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。

特别是其中的化学机械抛光（cmp）建模和面向制造的设计（dfm）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在制造热点（hotspot）和天线效应问题。

这大大减少了流片后的反复次数，缩短了良率爬升周期。

可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了制造工艺的成熟。”

孟良凡这时推了推眼镜，严谨底补充道：

“庭波总、陈总、姚总，68.5%的良率，对于一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nmfinfet工艺线而言，是一个里程碑，它证明了技术路线的可行性。

这标志着我们已初步掌握了中端性能芯片的自主可控设计制造能力。”

他话锋一转，依旧保持着客观：